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¿Qué es un material tipo ny cómo se fabrican?
Tanto los materiales tipo n corno los tipo p se forman agregando un número predeterminado de átomos de impureza a una base de silicio o germanio. El tipo n se crea añadiendo todos aquellos elementos de impureza que tengan cinco electrones de Page 8 valencia (pentavalentes), como antimonio, arsénico y fósforo.
¿Cómo se obtiene el material tipo n?
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado añadiendo un cierto tipo de elemento, normalmente pentavalente, es decir con 5 electrones en la capa de valencia, al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga libres (en este caso, negativos, electrones libres).
¿Cómo se conforma un material tipo N?
Se llama material tipo N (o negativo) al que posee átomos de impurezas que permiten la aparición de electrones (de ahí su denominación de negativo o N) sin huecos asociados a los mismos semiconductores. Los átomos de este tipo se llaman donantes ya que «donan» o entregan electrones.
¿Cuáles son los semiconductores de tipo P?
Los elementos más utilizados para este propósito son boro, galio e indio. Se les llama semiconductores de tipo P a los semiconductores contaminados con impurezas aceptoras.
¿Qué son los semiconductores?
Los semiconductores, como su nombre lo indica, son materiales que se encuentran en un punto intermedio y se comportan como aislantes o conductores dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo eléctrico y magnético, la presión, la temperatura o la radicación que le incide.
¿Cuáles son los diferentes tipos de semiconductores extrínsecos?
Semiconductores tipo n y tipo p En general, hay dos tipos de átomos dopantes que dan como resultado dos tipos de semiconductores extrínsecos. Estos dopantes que producen los cambios controlados deseados se clasifican como aceptores o donantes de electrones y los semiconductores dopados correspondientes se conocen como:
¿Cuál es la diferencia entre el material de tipo n y P?
Uniéndose el material de tipo n con el material de tipo p provoca un exceso de electrones en el material de tipo n que se difunden hacia el lado de tipo p y el exceso de huecos a partir del material de tipo p se difunden hacia el lado de tipo n.